IPS

Технологию IPS совместно разрабатывали NEC и Hitachi. Благодаря иному расположению жидкокристаллических молекул недостатки присущи TN TFT не проявляются на IPS экранах за редким исключением.

Основным отличием данной технологии является в архитектуре управляющих электродов, расположенных не с разных сторон жидких кристаллов, а только, с одной стороны. В нерабочем состоянии жидкие кристаллы расположены таким образом, чтобы исключить смену поляризации света, поэтому пиксели визуализируются в черном свете. В этом случае, «битый» транзистор пиксель будет выглядеть на экране как черная точка. Самым приятным бонусом IPS экрана является комфортный угол обзора примерно 160-170 градусов, что позволяет использовать его в разных плоскостях.

У IPS экранов имеются свои недостатки. Расположение молекул в одной плоскости приводит к использованию более мощного электрического поля, что в свою очередь неизбежно приводит к увеличению времени отклика. Обычное время реакции для IPS матриц находится в пределах 30 – 50 миллисекунд. Расположение электродов на одной плоски кристалла, на один цветовой элемент приходится два кристалла, они значительно снижают интенсивность светового потока. Для того чтобы получить яркую контрастную картинку производители вынуждены использовать более мощные источники подсветки.

Технология IPS постоянно совершенствуется, появляются новые поколения экранов основаны на данной технологии: IPS, SFT, Dual Domai. S-IPS, A-SFT и другие.